PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR The part **ZTX790A** is manufactured by **ZETEX** (now part of **Diodes Incorporated**). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Transistor Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 60V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 1A  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 1W (at 25°C)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 (minimum) at I_C = 500mA  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The **ZTX790A** is a high-performance NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. It features a high current gain, low saturation voltage, and good frequency response, making it suitable for a variety of electronic circuits.

### **Key Features:**
- **High Current Gain (h_FE):** Ensures efficient signal amplification.  
- **Low Saturation Voltage:** Improves efficiency in switching applications.  
- **High Transition Frequency (f_T):** Suitable for RF and high-speed switching.  
- **Robust Power Handling:** Supports up to 1W power dissipation.  
- **TO-92 Package:** Compact and widely used for through-hole PCB mounting.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed electrical characteristics, refer to the official datasheet from **Diodes Incorporated** (formerly ZETEX).