NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR Here are the factual details about part ZTX849 from manufacturer ZETEX:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 40V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 1A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_tot):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 400 (at I_C = 100mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 175MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-speed switching and amplification applications.  
- Low saturation voltage for improved efficiency.  
- High current gain bandwidth product (f_T).  
- Suitable for general-purpose amplification, driver stages, and switching circuits.  
- Surface-mount package (SOT-23) for compact PCB designs.  

For additional technical details, refer to the official ZETEX datasheet.