NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR The ZTX851 is a high-performance NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Type:** NPN Bipolar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 45V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 500mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100–400 (typically 200 at I_C = 10mA)  
- **Transition Frequency (f_T):** 175MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-92  

### **Descriptions and Features:**
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain (h_FE) with low saturation voltage.  
- Suitable for low-noise and high-speed applications.  
- Robust construction for reliable performance in various circuits.  
- Commonly used in audio amplifiers, signal processing, and driver stages.  

The ZTX851 is a versatile transistor with a balance of speed, current handling, and voltage tolerance.

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR Here are the factual details about part ZTX851 from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **ZTX851** is manufactured by **Zetex Semiconductors** (now part of **Diodes Incorporated**).  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** TO-92 (through-hole)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 500mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100–300 (typical at I_C = 10mA)  
- **Transition Frequency (f_T):** 175MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for **high-speed switching** and **amplification** applications.  
- **Low saturation voltage**, making it suitable for switching circuits.  
- **High current gain (h_FE)** for improved signal amplification.  
- **Low noise performance**, useful in audio and RF applications.  
- Commonly used in **driver circuits, inverters, and general-purpose amplification**.  

Let me know if you need further details.