PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR Here are the factual details about part ZTX957 from manufacturer ZETEX:  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 400V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 400V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 1A (Continuous)  
- **Power Dissipation (P_tot):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 30 to 240 (at I_C = 100mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-92  

### **Descriptions and Features:**  
- High-voltage NPN transistor designed for switching and amplification applications.  
- Suitable for use in power supplies, inverters, and other high-voltage circuits.  
- Low saturation voltage for improved efficiency.  
- High current gain with a wide range (30–240).  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For further technical details, refer to the official ZETEX datasheet.

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR The part ZTX957 is manufactured by ZTEX. Here are the specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vce):** 60V  
- **Maximum Collector Current (Ic):** 1A  
- **Power Dissipation (Pd):** 1W  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-300 (varies by batch)  
- **Transition Frequency (ft):** 150MHz  
- **Package Type:** TO-92  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- High current gain bandwidth product for improved performance in RF and audio applications.  
- Suitable for use in low-power circuits.  
- RoHS compliant.  

For exact performance under specific conditions, refer to the datasheet.