### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Continuous Collector Current (IC):** 500mA  
- **Total Power Dissipation (PD):** 350mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 (min) at IC = 10mA, VCE = 5V  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain (hFE) for improved signal amplification.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- Suitable for high-frequency applications due to its transition frequency (fT).  
- Compact SOT-23 package for space-constrained PCB designs.  
- RoHS compliant.  

For exact datasheet details, refer to the official Diodes Incorporated documentation.