### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 240V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 30Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5V (typical)  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-voltage switching applications.  
- Low threshold voltage for compatibility with logic-level drive.  
- Fast switching speed.  
- Suitable for low-power applications.  
- Small SOT-23 package for space-constrained designs.  

(Note: Always refer to the official datasheet for precise details.)