N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET The ZVN2106 is a N-channel enhancement mode vertical DMOS FET manufactured by ZETEX. Here are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 0.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 2A  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V, I_D = 0.5A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 25pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 10pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 15ns (typ)  

### **Description:**  
The ZVN2106 is a small-signal MOSFET designed for low-power switching and amplification applications. It features a vertical DMOS structure for improved performance and is suitable for high-speed switching due to its low gate charge and capacitance.  

### **Features:**  
- **Low Threshold Voltage:** Enables operation with low gate drive voltages.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low On-Resistance:** Improves efficiency in switching applications.  
- **High Input Impedance:** Easy to drive with logic-level signals.  
- **ESD Protection:** Provides robustness against electrostatic discharge.  
- **SOT-23 Package:** Compact surface-mount package for space-constrained designs.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the ZVN2106 by ZETEX.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET The ZVN2106 is an N-channel enhancement mode vertical DMOS FET manufactured by Diodes Incorporated.  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 0.53A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 2.1A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V, I_D = 0.5A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 25pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 10pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 15ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for low-voltage, high-speed switching applications.  
- Low threshold voltage for compatibility with logic-level drive circuits.  
- High input impedance and fast switching speeds.  
- Suitable for power management, DC-DC converters, and load switching.  
- Lead-free and RoHS compliant.  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition.  

The ZVN2106 is optimized for efficiency in compact, low-power applications.