N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET The ZVN2110A is an N-channel enhancement mode MOSFET manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated).  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 0.18A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 0.72A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 3V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 15pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 5pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 2pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 25ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 15ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-voltage, low-current switching applications.  
- Fast switching speeds suitable for high-frequency applications.  
- Low threshold voltage for compatibility with logic-level drive circuits.  
- Available in TO-92 package for easy PCB mounting.  
- Suitable for use in power management, signal switching, and driver circuits.  

For detailed datasheet information, refer to the official documentation from Diodes Incorporated (formerly ZETEX).