SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET The ZVN2110G is a N-channel enhancement mode vertical DMOS FET manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated).  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 0.25A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 1.0A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.0W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 15pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 5pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 2pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 10ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for low-voltage, high-speed switching applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Suitable for load switching, DC-DC converters, and motor control.  
- High input impedance and low drive requirements.  
- ESD protection included.  

For detailed datasheet information, refer to the official documentation from ZETEX/Diodes Incorporated.