N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET The ZVN3306A is an N-channel enhancement-mode vertical DMOS FET manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 700mA  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 2.8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V, I_D = 500mA  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 35pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 12pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 15ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The ZVN3306A is a small-signal MOSFET designed for high-speed switching and amplification applications. It features low gate charge, fast switching speeds, and low on-resistance, making it suitable for low-voltage, high-efficiency circuits.  

### **Features:**  
- **Low Threshold Voltage:** Enables operation with low gate drive voltages.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Low On-Resistance:** Improves efficiency in power applications.  
- **High Input Impedance:** Easy to drive with logic-level signals.  
- **ESD Protection:** Robust against electrostatic discharge.  
- **SOT-23 Package:** Compact surface-mount design for space-constrained applications.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the ZVN3306A.