SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET The ZVN4106F is a N-channel enhancement mode vertical DMOS FET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 170mA  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 680mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 700mW  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5Ω (max) at V_GS = 10V, I_D = 50mA  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 8pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 4pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 2pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for low-voltage, low-current switching applications.  
- High input impedance and fast switching speeds.  
- Low threshold voltage suitable for logic-level drive.  
- ESD protection included.  
- RoHS compliant.  

The ZVN4106F is commonly used in signal switching, load switching, and other low-power applications.

SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET The ZVN4106F is a N-channel enhancement-mode vertical DMOS FET manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated).  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 0.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 2A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 30pF (typical)  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for low-voltage, high-speed switching applications.  
- Low threshold voltage for compatibility with logic-level signals.  
- Fast switching times (t_d(on) and t_d(off) in nanoseconds).  
- Low gate charge for efficient drive requirements.  
- Suitable for battery-powered and portable applications.  
- ESD protection included.  

The ZVN4106F is commonly used in power management, load switching, and signal amplification circuits.

SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET The ZVN4106F is a N-channel enhancement mode vertical DMOS FET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 0.17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 0.7A  
- **Power Dissipation (P_D):** 0.7W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5Ω (max) at V_GS = 10V, I_D = 0.17A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 15pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 5pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 2pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typical)  

### **Description:**  
The ZVN4106F is a small-signal MOSFET designed for low-power switching applications. It is housed in a TO-92 package, making it suitable for space-constrained designs.  

### **Features:**  
- **Enhancement Mode:** Normally-off device.  
- **Low Threshold Voltage:** Ensures compatibility with low-voltage logic.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low Input Capacitance:** Reduces drive requirements.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load switching.  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the ZVN4106F.