N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET The ZVN4206A is an N-channel enhancement mode vertical DMOS FET manufactured by Diodes Incorporated.  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 6.8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 80pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 25pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Enhancement Mode:** Requires a positive gate-source voltage to conduct.  
- **Low On-Resistance:** Provides efficient power switching.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in inductive load applications.  
- **ESD Protection:** Improved robustness against electrostatic discharge.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Packages Available:** SOT-23, TO-92.  

The ZVN4206A is commonly used in power management, motor control, and switching applications.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET The ZVN4206A is a N-channel enhancement mode vertical DMOS FET manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated).  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 420mA  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 1.7A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5Ω (max) at V_GS = 10V, I_D = 200mA  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 15pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 6pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 2pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 10ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Enhancement Mode:** Normally off, requires positive gate voltage to conduct.  
- **Low Threshold Voltage:** Suitable for low-voltage drive applications.  
- **Fast Switching Speed:** Ideal for high-frequency applications.  
- **Low Input Capacitance:** Reduces drive requirements.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load switching.  
- **Packaging:** Available in TO-92 and SOT-23 packages.  

This MOSFET is commonly used in switching applications, signal amplification, and low-power DC-DC converters.  

(Note: Always refer to the latest datasheet for updated specifications.)