P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET The ZVP2106A is a P-channel enhancement mode MOSFET manufactured by ZETEX. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -0.18A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 10Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The ZVP2106A is a P-channel MOSFET designed for low-power switching applications. It is suitable for use in circuits requiring efficient power management, such as battery-operated devices, load switches, and signal switching.  

### **Features:**  
- **Enhancement Mode:** Normally-off device, conducts when a negative gate-source voltage is applied.  
- **Low Threshold Voltage:** Enables operation with low drive voltages.  
- **Compact Package:** Available in TO-92 or SOT-23 packages for space-constrained applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency switching.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official ZETEX documentation.

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET