SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET The ZVP2106G is a P-channel enhancement mode MOSFET manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated).  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -1.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -6.8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.5Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-223  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for low-voltage, high-speed switching applications.  
- Low gate charge for improved switching performance.  
- Suitable for power management, DC-DC converters, and load switching.  
- Enhancement mode device, requiring a negative gate-source voltage to turn on.  
- Low on-resistance minimizes conduction losses.  

For detailed datasheets, refer to official documentation from Diodes Incorporated (formerly ZETEX).