P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET The part **ZVP2110** is a **P-channel enhancement mode MOSFET** manufactured by **Diodes Incorporated**.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -0.18A  
- **Power Dissipation (P_D):** 350mW  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 25Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  

### **Description & Features:**  
- Designed for **low-power switching applications**.  
- **Enhancement mode** operation.  
- **SOT-23 package** (3-pin).  
- **Low gate charge** for fast switching.  
- **Low leakage current** for improved efficiency.  

This MOSFET is commonly used in **battery-powered circuits, load switching, and signal amplification**.