### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -100V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -1.3A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Package:** TO-92  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for low-voltage, high-speed switching applications.  
- Low threshold voltage suitable for logic-level drive.  
- High input impedance and fast switching speed.  
- Suitable for power management, load switching, and DC-DC converters.  

For exact application details, refer to the official datasheet.