P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET The ZVP4105A is a P-channel enhancement mode MOSFET manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.28Ω (at V_GS = -10V, I_D = -4.3A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 18nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The ZVP4105A is a high-performance P-channel MOSFET designed for low-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management, DC-DC converters, and load switching.

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Low Gate Drive Requirements:** Compatible with logic-level drive circuits.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load applications.  
- **TO-220 Package:** Ensures good thermal performance.  

For detailed datasheet information, refer to the official documentation from Diodes Incorporated (formerly ZETEX).