20V PNP LOW SAT MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23-6 The part **ZX5T2E6TA** is manufactured by **ZETEX** (now part of **Diodes Incorporated**). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23 (Small Outline Transistor)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 20V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 12V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Continuous Collector Current (IC):** 500mA  
- **Total Power Dissipation (Ptot):** 350mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 (min) at IC = 10mA, VCE = 1V  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **High current gain (hFE)** for small-signal amplification.  
- **Low saturation voltage**, making it suitable for switching applications.  
- **Designed for general-purpose amplification and switching** in portable and low-power circuits.  
- **SOT-23 package** enables compact PCB designs.  
- **RoHS compliant** (lead-free and environmentally friendly).  

For exact performance characteristics, refer to the official datasheet.