100V NPN LOW SAT MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 The part **ZX5T853GTA** is manufactured by **ZETEX** (now part of Diodes Incorporated). Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-89 (Surface Mount)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 25V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 1A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 1W  
- **DC Current Gain (hFE):** 100–300 (at IC = 100mA, VCE = 1V)  
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **ZX5T853GTA** is a high-performance NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. It offers a good balance of current gain, frequency response, and power handling in a compact SOT-89 package.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE) for improved efficiency  
- Low saturation voltage for better switching performance  
- Suitable for medium-power applications  
- Surface-mount package (SOT-89) for space-saving PCB designs  
- RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For precise application details, refer to the official datasheet from Diodes Incorporated (formerly ZETEX).

100V NPN LOW SAT MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223