100V NPN LOW SAT MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 The part **ZX5T853GTA** is manufactured by **ZETEX** (now part of Diodes Incorporated). Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-89 (Surface Mount)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 25V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 1A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 1W  
- **DC Current Gain (hFE):** 100–300 (at IC = 100mA, VCE = 1V)  
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **ZX5T853GTA** is a high-performance NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. It offers a good balance of current gain, frequency response, and power handling in a compact SOT-89 package.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE) for improved efficiency  
- Low saturation voltage for better switching performance  
- Suitable for medium-power applications  
- Surface-mount package (SOT-89) for space-saving PCB designs  
- RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For precise application details, refer to the official datasheet from Diodes Incorporated (formerly ZETEX).