20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The ZXM62N02E6 is a N-channel enhancement mode MOSFET manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 6A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.12Ω (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 0.8V to 2.0V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 120pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 45pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 15ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The ZXM62N02E6 is a low-voltage N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in portable electronics, battery protection circuits, and DC-DC converters.

### **Features:**
- **Low Threshold Voltage:** Enables operation with low gate drive voltages.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **Compact SOT23 Package:** Suitable for space-constrained designs.  
- **ESD Protection:** Robust against electrostatic discharge.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.