30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The ZXM62N03E6TA is a N-channel enhancement mode MOSFET manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 24A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.1W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.062Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 10nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-223  

### **Descriptions:**  
- The ZXM62N03E6TA is a low-voltage, N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for power management in portable electronics, DC-DC converters, and battery-powered systems.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal power loss.  
- **Fast Switching Speed:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **Enhanced Thermal Performance:** SOT-223 package aids heat dissipation.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load switching.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed application guidelines, refer to the official documentation from ZETEX/Diodes Incorporated.

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET