20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The ZXM62P02E6 is a P-channel enhancement mode MOSFET manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -14A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.4W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.12Ω (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.4V to -1.5V  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The ZXM62P02E6 is designed for low-voltage, high-efficiency switching applications.  
- It is housed in a SOT23-3 package, making it suitable for space-constrained designs.  
- The MOSFET is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Enhancement Mode:** Normally-off device.  
- **Compact SOT23-3 Package:** Ideal for portable and small-form-factor designs.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official datasheet from ZETEX/Diodes Incorporated.