35V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The part **ZXM64N035GTA** is manufactured by **ZETEX** (now part of **Diodes Incorporated**). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 35V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.064Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Package:** SOT223 (Surface Mount)  

### **Description:**  
The **ZXM64N035GTA** is a **N-Channel MOSFET** designed for **low-voltage, high-efficiency switching applications**. It features **low on-resistance** and **fast switching speeds**, making it suitable for **power management, DC-DC converters, and motor control**.  

### **Features:**  
- **Low gate charge** for fast switching  
- **Low threshold voltage** for compatibility with logic-level drive  
- **High current capability** in a compact SOT223 package  
- **Avalanche energy rated** for robustness in inductive load applications  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official **ZETEX/Diodes Incorporated datasheet**.

35V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET