35V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The ZXM64P035 is a P-channel enhancement mode MOSFET manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -35V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -16.8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 3.1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.065Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The ZXM64P035 is a P-channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency switching applications. It is suitable for power management, load switching, and DC-DC conversion.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- Fast switching speed  
- Low gate charge  
- Enhanced thermal performance  
- Lead-free and RoHS compliant  

For detailed technical information, refer to the official datasheet from Diodes Incorporated (formerly ZETEX).

35V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The part **ZXM64P035** is a **P-Channel Enhancement Mode MOSFET** manufactured by **Zetex Semiconductors (now part of Diodes Incorporated)**.  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.035Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The ZXM64P035 is designed for **high-efficiency power switching applications**, offering **low on-resistance** and **fast switching performance**. It is suitable for **battery management, DC-DC converters, and motor control** circuits.  

### **Features:**  
- **Low gate charge** for efficient switching  
- **Avalanche energy rated** for robustness  
- **Logic-level compatible** (can be driven by 5V signals)  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

This MOSFET is optimized for **low-voltage drive applications** while maintaining high power-handling capability.