20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The part **ZXM66P02N8TA** is manufactured by **ZETEX** (now part of Diodes Incorporated). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.3A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 85mΩ (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.4V to -1.5V  
- **Package:** SOT-23 (3-pin)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **low-voltage, high-efficiency switching applications**.  
- **Low on-resistance** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** suitable for power management circuits.  
- **Compact SOT-23 package** for space-constrained designs.  
- **Enhancement mode** operation for reliable performance.  

For more detailed electrical characteristics, refer to the official datasheet from Diodes Incorporated (formerly ZETEX).