30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The part **ZXM66P03N8TA** is manufactured by **ZETEX** (now part of **Diodes Incorporated**). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** P-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -6.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -26A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.066Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The **ZXM66P03N8TA** is a P-Channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in portable electronics, battery protection circuits, and DC-DC converters.

### **Features:**
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Performance** for high-efficiency applications  
- **Low Gate Charge (Q_g)** for improved drive efficiency  
- **Avalanche Energy Rated** for robustness in inductive load switching  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Package:**
- **SOT23-8** (Surface-Mount Package)  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.