COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET The ZXMC6A09DN8 is a P-channel MOSFET manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** ZETEX (Diodes Incorporated)  
- **Type:** P-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 3.1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.09Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions:**  
- Designed for low-voltage, high-efficiency switching applications.  
- Suitable for power management in portable electronics, battery protection, and load switching.  
- Features low on-resistance and fast switching characteristics.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal power loss.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Enhanced Thermal Performance:** Efficient heat dissipation in SO-8 package.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.