20V DUAL N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The ZXMD63C02X is a power MOSFET manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 63A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 190A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.0075Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (typ), 3V (max)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-current, low-voltage applications.  
- Suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and battery protection circuits.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for high efficiency.  
- **Fast switching** capability.  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness.  
- **Low gate charge** for improved drive efficiency.  
- **Lead-free and RoHS compliant.**  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the ZXMD63C02X MOSFET.

20V DUAL N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET