60V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge The ZXMHC6A07N8TC is a power MOSFET manufactured by Diodes Incorporated (formerly Zetex). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Diodes Incorporated (formerly Zetex)  
- **Part Number:** ZXMHC6A07N8TC  
- **Type:** N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 24A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.07Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns (typical)  
- **Package:** SOT-89  

### **Description:**  
The ZXMHC6A07N8TC is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and load switching.

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Compact SOT-89 package for space-constrained applications  
- Suitable for battery-powered and portable devices  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.