100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The ZXMN10A07F is a power MOSFET manufactured by **ZETEX** (now part of **Diodes Incorporated**). Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:  
### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 40A  
- **Power Dissipation (PD):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):**  
  - 0.1Ω (max) at VGS = 10V  
  - 0.12Ω (max) at VGS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.5V (min), 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 30ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
### **Descriptions:**  
- Designed for **high-efficiency switching applications** in power management circuits.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, and load switching**.  
- Features **low gate charge (Qg)** and **fast switching speeds**.  
### **Features:**  
- **Low RDS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current handling capability** (10A continuous).  
- **Avalanche energy rated** for robustness in inductive load applications.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  
For detailed datasheet information, refer to the official documentation from **Diodes Incorporated** (formerly ZETEX).