100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The ZXMN10A07FTA is an N-channel MOSFET manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.07Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 3V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- The ZXMN10A07FTA is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for efficient high-frequency operation.  
- **Avalanche energy rated** for robustness in inductive load applications.  
- **Lead-free and RoHS compliant.**  
- **Low gate charge (Q_g)** for improved drive efficiency.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.