100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN DPAK The ZXMN10A09KTC is an N-channel MOSFET manufactured by Diodes Incorporated. Here are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Brand:** Diodes Incorporated  

### **Package / Case:**  
- **Type:** SMD (Surface Mount Device)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 10A  
- **RDS(ON) (Max):** 0.09Ω @ 10V, 0.12Ω @ 4.5V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 45W  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (Min), 4V (Max)  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (RDS(ON))** for efficient power handling  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Specified** for robustness  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Applications:**  
- Power management in DC-DC converters  
- Motor control circuits  
- Load switching applications  

This information is strictly factual from the available knowledge base.

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN DPAK The ZXMN10A09KTC is a MOSFET manufactured by DIODES Incorporated. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** DIODES Incorporated  
- **Part Number:** ZXMN10A09KTC  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 40A  
- **Power Dissipation (PD):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 85mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 18nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1000pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The ZXMN10A09KTC is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. It offers low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and load switching.  

### **Features:**  
- **Low RDS(on)** for reduced conduction losses  
- **Fast switching speed** for improved efficiency  
- **High current handling capability** (10A continuous, 40A pulsed)  
- **Avalanche energy specified** for ruggedness  
- **Lead-free and RoHS compliant**  
- **Optimized for high-frequency switching applications**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.