100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The ZXMN10A11GTA is a power MOSFET manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** ZETEX (Diodes Incorporated)  
- **Part Number:** ZXMN10A11GTA  
- **Type:** N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.11Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 900pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- The ZXMN10A11GTA is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-efficiency applications.  
- **High Current Handling:** Supports up to 10A continuous current.  
- **Avalanche Rated:** Provides robustness in rugged environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed application guidelines, refer to the official documentation.