100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The ZXMN10B08E6TA is a power MOSFET manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** ZETEX (Diodes Incorporated)  
- **Part Number:** ZXMN10B08E6TA  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 80mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Package:** SOT-23-6 (Small Outline Transistor)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The ZXMN10B08E6TA is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching capabilities.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and load switching applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures efficient power handling.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Compact Package:** SOT-23-6 for space-constrained designs.  
- **High Voltage Rating:** Supports up to 100V drain-source voltage.  
- **Robust Performance:** Designed for reliability in harsh environments.  

For detailed application notes or additional parameters, refer to the official datasheet from Diodes Incorporated.

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The ZXMN10B08E6TA is an N-channel MOSFET manufactured by DIODES Incorporated. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 40A  
- **Power Dissipation (PD):** 3.1W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 80mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23  

### **Description:**  
The ZXMN10B08E6TA is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. It offers low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and load switching.  

### **Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed  
- High current handling capability  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Compact SOT-23 package for space-constrained designs  

This information is based on DIODES' official datasheet for the ZXMN10B08E6TA.

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET