20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Power management functions The ZXMN2A01FTA is a N-channel MOSFET manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated).  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 10A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.08Ω (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 0.4V to 1.0V  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions and Features:**  
- Low threshold voltage for compatibility with low-voltage logic.  
- Low on-resistance for efficient power handling.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for battery-powered applications, power management, and load switching.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For detailed electrical characteristics, refer to the official datasheet.

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Power management functions The ZXMN2A01FTA is a N-channel MOSFET manufactured by ZETEX/DIODES. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8.4A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 85mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 0.4V (min) to 1.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 180pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The ZXMN2A01FTA is a small-signal MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency switching applications. It is housed in a SOT-23 package, making it suitable for space-constrained designs.  

### **Features:**  
- Low threshold voltage for compatibility with logic-level drive  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Suitable for battery-powered applications, power management, and load switching  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Power management functions The ZXMN2A01FTA is an N-channel MOSFET manufactured by Diodes Incorporated. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 2.8A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 11A  
- **Power Dissipation (PD):** 1.4W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±12V  
- **RDS(ON) (Max):**  
  - 45mΩ at VGS = 4.5V  
  - 35mΩ at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 0.5V to 1.5V  
- **Package:** SOT-23 (3-pin)  

### **Description:**  
The ZXMN2A01FTA is a small-signal MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency switching applications. It is optimized for power management, load switching, and DC-DC conversion in portable electronics, battery protection circuits, and other low-power systems.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(ON)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- Low gate charge for improved efficiency  
- ESD protection (HBM: 2kV)  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Halogen-free  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.