20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The ZXMN2A03E6 is a N-channel enhancement mode MOSFET manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 9A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.085Ω (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 0.4V to 1.0V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 4.5nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 280pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 85pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 35pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The ZXMN2A03E6 is a small-signal MOSFET designed for low-voltage switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management, load switching, and DC-DC conversion.

### **Features:**
- Low threshold voltage for compatibility with logic-level signals  
- Low gate charge for fast switching performance  
- Low on-resistance for efficient power handling  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Available in SOT-23 package  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.