20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The ZXMN2A03E6TA is an N-channel MOSFET manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 9A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.085Ω (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 0.5V to 1.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 180pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 45pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 8ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 20ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23 (3-pin)  

### **Descriptions:**  
- The ZXMN2A03E6TA is a low-voltage, N-channel enhancement-mode MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for power management, load switching, and DC-DC conversion.  

### **Features:**  
- Low threshold voltage for compatibility with logic-level drive.  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- Fast switching speeds for improved efficiency.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.