30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The ZXMN3A01E6TA is an N-channel enhancement mode MOSFET manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 10A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.05Ω (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 0.4V to 1.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 8nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions:**
- Designed for low-voltage, high-efficiency switching applications.  
- Suitable for power management in portable devices, DC-DC converters, and load switching.  
- Features low on-resistance for reduced conduction losses.  

### **Features:**
- **Low Threshold Voltage:** Enables operation with low gate drive voltages.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge:** Enhances efficiency in switching circuits.  
- **Small Form Factor:** SOT-23 package saves board space.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For detailed datasheets, refer to the manufacturer's documentation.