30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The ZXMN3A02X8 is a MOSFET manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** ZETEX (Diodes Incorporated)  
- **Part Number:** ZXMN3A02X8  
- **Type:** N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 10A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.08Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for low-voltage, high-efficiency switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for improved performance in power management circuits.  
- Suitable for battery-powered applications, DC-DC converters, and load switching.  
- ESD protection included for robustness in handling.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.