DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The ZXMN3A06DN8TA is a N-channel MOSFET manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 15A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 0.5V to 1.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 8nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 400pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 20ns (typical)  
- **Package:** SOT-23 (3-pin)  

### **Descriptions:**  
- Designed for low-voltage, high-efficiency switching applications.  
- Suitable for power management in portable devices, DC-DC converters, and load switching.  
- Features low gate charge and low on-resistance for improved performance.  

### **Features:**  
- **Low Threshold Voltage:** Enables operation with low drive voltages.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **Compact Package:** SOT-23 for space-constrained designs.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant.**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.