30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE Here are the factual details about the **ZXMN3B04N8** MOSFET from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **Diodes Incorporated**

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.4W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 50mΩ (at V_GS = 10V)  
  - 60mΩ (at V_GS = 4.5V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) – 2.5V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 8.5nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 540pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 140pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns  
- **Rise Time (t_r):** 18ns  
- **Fall Time (t_f):** 9ns  

### **Package:**  
- **SOT-23 (3-pin)**  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for efficient power handling.  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge (Q_g)** for reduced drive requirements.  
- **AEC-Q101 Qualified** for automotive applications.  
- **RoHS & Halogen-Free Compliant** for environmental safety.  

### **Applications:**  
- Power management in portable devices  
- DC-DC converters  
- Load switching  
- Battery protection circuits  
- Motor control  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For precise application details, always refer to the official documentation.