60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The ZXMN6A08E6TA is a power MOSFET manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** ZETEX (Diodes Incorporated)  
- **Part Number:** ZXMN6A08E6TA  
- **Type:** N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 6A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 24A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.08Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 900pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 200pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 30ns (typ)  
- **Package:** SOT-23 (3-pin)  

### **Descriptions:**  
- The ZXMN6A08E6TA is a high-performance N-Channel MOSFET designed for low-voltage, high-speed switching applications.  
- It is optimized for power management in portable electronics, DC-DC converters, and load switching.  
- The device offers low on-resistance and fast switching characteristics.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for high-efficiency applications.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained designs.  
- Suitable for battery-powered and portable devices.  
- Robust performance with a wide operating temperature range.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.