30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The ZXMP3A17E6TA is a PNP transistor manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT23-3 (Surface Mount)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -30V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Continuous Collector Current (IC):** -500mA  
- **Power Dissipation (PD):** 300mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100–250 (at IC = -10mA, VCE = -1V)  
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Suitable for low-voltage, high-speed circuits.  
- Optimized for high current gain and low saturation voltage.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE) for improved efficiency.  
- Low saturation voltage (VCE(sat)) for reduced power loss.  
- Fast switching speed, making it suitable for high-frequency applications.  
- Compact SOT23-3 package for space-constrained designs.  
- Pb-free and RoHS compliant.  

For exact performance characteristics, refer to the official datasheet from Diodes Incorporated (formerly ZETEX).

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET