30V SO8 P-channel enhancement mode MOSFET The ZXMP3F35N8 is a P-channel enhancement mode MOSFET manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** P-channel enhancement mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -14A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.1Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- Designed for low-voltage, high-speed switching applications.  
- Suitable for power management in portable devices, DC-DC converters, and load switching.  
- Features low gate charge and fast switching speeds.  

### **Features:**
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Enhanced thermal performance due to low power dissipation.  
- RoHS compliant.  

(Note: Always refer to the latest datasheet for updated specifications.)

30V SO8 P-channel enhancement mode MOSFET