30V SO8 P-channel enhancement mode MOSFET The **ZXMP3F37N8** is a P-channel enhancement mode MOSFET manufactured by **ZETEX** (now part of **Diodes Incorporated**). Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** P-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.7A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.08Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- Designed for **low-voltage, high-efficiency switching applications**.  
- Suitable for **power management, load switching, and battery protection circuits**.  
- Features **low on-resistance** for reduced conduction losses.  

### **Features:**
- **Low gate charge** for fast switching performance.  
- **Avalanche energy rated** for improved reliability.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  
- **Compact SOT-23 package** for space-constrained applications.  

For exact performance characteristics, refer to the official datasheet from **Diodes Incorporated (formerly ZETEX)**.