30V SO8 P-channel enhancement mode MOSFET The part **ZXMP3F37N8TA** is manufactured by **ZETEX** (now part of Diodes Incorporated). Here are its specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.7A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.085Ω (max) @ V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for low-voltage, high-efficiency switching applications.  
- Low on-resistance for reduced power loss.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for battery management, power management, and load switching.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For detailed datasheets or further technical information, refer to the manufacturer's official documentation.

30V SO8 P-channel enhancement mode MOSFET Here are the factual details about the **DIODES part ZXMP3F37N8TA** from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** DIODES  
### **Part Number:** ZXMP3F37N8TA  

#### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Voltage (VDS):** -30V  
- **Current (ID):** -3.7A (continuous)  
- **RDS(ON):** 85mΩ (max) @ VGS = -10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** -1V to -3V  
- **Power Dissipation (PD):** 1.25W  
- **Package:** SOT-23 (3-pin)  

#### **Descriptions:**  
- Designed for low-voltage, high-efficiency power management applications.  
- Suitable for load switching, power management, and battery protection circuits.  

#### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(ON)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- ESD protection (HBM: 2kV).  
- RoHS compliant and halogen-free.  

For further details, refer to the official datasheet from DIODES.