60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The ZXMP6A17E6TA is a PNP bipolar transistor manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are its key specifications, descriptions, and features based on available factual data:

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT23-6  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -30V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -500mA (continuous)  
- **Power Dissipation (P_tot):** 350mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100–250 (at I_C = -100mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 200MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Suitable for low-voltage, high-speed circuits.  
- Features low saturation voltage for efficient switching.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE).  
- Low saturation voltage (V_CE(sat)).  
- High transition frequency (f_T) for fast switching.  
- Compact SOT23-6 package for space-constrained designs.  

For exact performance characteristics, refer to the official datasheet from Diodes Incorporated (formerly ZETEX).

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET