60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The part **ZXMP6A17GTA** is manufactured by **ZETEX** (now part of Diodes Incorporated). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.2A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.17Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Package:** SOT-223  

### **Descriptions:**  
- The ZXMP6A17GTA is a P-Channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching characteristics.  
- Suitable for battery management, power supplies, and load switching.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for improved efficiency.  
- **High current handling capability.**  
- **Compact SOT-223 package** for space-constrained designs.  
- **RoHS compliant.**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and product documentation.

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET