50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR The part **ZXT10N50DE6TA** is manufactured by **ZETEX** (now part of Diodes Incorporated). Below are the specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF (typical)  
- **Package Type:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for **high-voltage switching applications** such as power supplies, motor control, and inverters.  
- **Low gate charge** for improved switching efficiency.  
- **Avalanche energy rated** for rugged performance.  
- **Fast switching speed** with optimized gate drive characteristics.  
- **Pb-free and RoHS compliant** for environmental safety.  

For exact performance characteristics, refer to the official datasheet from Diodes Incorporated (formerly ZETEX).