20V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR The part **ZXT11N20DFTA** is manufactured by **ZETEX** (now part of Diodes Incorporated). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** NPN Darlington Transistor  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 200V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 1A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 1000 (min) at I_C = 500mA  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  

### **Descriptions:**
- The ZXT11N20DFTA is a high-voltage NPN Darlington transistor designed for switching and amplification applications.  
- It features a built-in base-emitter resistor for improved performance in high-voltage circuits.  
- Suitable for use in power management, motor control, and industrial applications.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability (200V)**  
- **High DC Current Gain (h_FE ≥ 1000)**  
- **Low Saturation Voltage**  
- **Built-in Base-Emitter Resistor for Stability**  
- **Compact SOT-23 Package for Space-Constrained Designs**  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official datasheet from Diodes Incorporated (formerly ZETEX).

20V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR